温殿忠，男，1949年4月23日生，河北抚宁县人。1975年7月毕业于365bet官网哪里找物理系半导体专业并留校任教，1987年在职学完微电子学与固体电子学的硕士研究生课程， 1992年9月被正式注册为加拿大阿尔伯塔大学电气工程系特别研究生。现任365bet官网哪里找电子工程学院党委书记兼365bet官网哪里找敏感技术研究所所长，教授、博士生导师。
学科：微电子学与固体电子学 研究方向：传感器MEMS
代表性著作：
《力学量敏感元器件及其应用》黑龙江科技出版社出版。
《磁敏感元器件与磁传感器》黑龙江科技出版社出版。
在重要学术刊物上发表的代表性论文：
1. Dianzhong Wen, SensitivityAnalysisofJunctionFieldEffect-PressureHalltron，Review of
Scientific Instrument Vol.66,No.1.251-255 .1995.1[SCI]收录.
2. Dianzhong Wen, An IC Chip of Magneto-Sensitivity Silicon Transistors Sensor, Solid-State and Integrated Circuit Technology， ICSICT,2001.10[EI]收录.
3. Dianzhong Wen, Negative-ResistanceCharacteristics Studies in Silicon Double Injection p+πn+ Magnetic-Device, International Society for OpticalEngineering,Vol.4414，301-305，2001.10. [EI]收录.
4. Dianzhong Wen, Theoretical Analysis of The Pressure-Magneto-Electric Effect of JFET, Journal of Electronics,Vol.7,No.2,April 1990. [EI]收录.
5. Dianzhong Wen, Double Injection Type Magneto- transistor Formed on a SOI Substrate，Chinese Journal Electron Devices,No.3,2006. [EI]收录.
6. Dianzhong Wen, Negative-Resistance Characteristics Analysis of Poly-Silicon Resistors Formed on the Flow Sensor, Rare Metal Materials and Engineering,2006. [EI]收录.
7. Dianzhong Wen, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, Rare Metal Materials and Engineering,2006. [EI]收录.
8. Dianzhong Wen, Research on the Oscillator Characteristics of Bridge Protein in Cell Membrane, Review of Advancements in Micro and Nano Technologies,2006. [EI]收录.
9.Dianzhong Wen, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, 稀有金属材料与工程(RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING),2006.12. [SCI]收录.
11.Dianzhong Wen, Negative-Resistance Characteristics Analysis of Poly-Silicon Resistors Formed on the Flow Sensor，稀有金属材料与工程(RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING),2006.12. [SCI]收录.
12.Dianzhong Wen, DESIGN A SYSTEM OF Ar-Ion LASER ENHANCED ANISOTROPIC ETCHING，MicroNanoChina07，January 10, 2007, [SCI]收录.
13.Dianzhong Wen, A new measurement circuit of magneto- transistor formed on a SOI Substrate，电子器件，Vol.29, Number3,609,2006.[EI] 收录
在研项目：
1.纳米硅/单晶硅异质结的SOI MAG-MOSFET压磁电效应研究，国家自然科学基金项目；（60676044）
2.电力电子器件在新型电源设备中的应用 黑龙江省教育厅振兴东北老工业基地重大项目；
3.煤矿安全生产信息化关键设备与产品及标准制定，信息产业部电子信息产业发展基金重点项目，（0602SK002）（第2承担单位）；
完成的主要课题：
完成两项国家级和十余项省部级科研课题，完成有代表性课题如下：
采用MEMS技术研究硅磁敏三极管模型与制造技术研究 国家自然科学基金项目。
硅各向异性腐蚀技术与设备 获国家科委颁发的国家级科技成果完成者证书。
2DCM硅磁敏二极管 获1978年全国科学大会奖。
列车车辆运行安全监测系统—偏载探测 铁道部项目。
C型硅杯各向异性腐蚀技术 黑龙江省经委重点项目。
M/Tao/Si/Ti/Pt多层膜结构应变物理特性研究 黑龙江省自然科学基金项目。
神经网络智能化脉诊仪的研究 黑龙江省“九五”科技攻关项目。
2DCM/波纹管高温高压液体流速检测仪研究 黑龙江省教委科研计划指导项目。
智能化油井注入液体流速检测仪 哈尔滨市计划项目。
获奖：
2DCM硅磁敏二极管 获1978年全国科学大会奖
硅各向异性腐蚀技术与设备 获1990年黑龙江省科技进步三等奖。
列车车辆运行安全监测系统—偏载探测 获1998年铁道部科技进步三等奖。
<Sensitivity analysis of junction field effect-pressure Halltron>获黑龙江省二等奖。
